קנה Vishay Siliconix SIE820DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIE820DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

מספר חלק

SIE820DF-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

10-PolarPAK® (S)

חבילת מכשירי ספק

10-PolarPAK® (S)

פיזור כוח (מקסימום)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

143nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

4300pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

2.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±12V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1728 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK