קנה Vishay Siliconix SIE806DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIE806DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

מספר חלק

SIE806DF-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

10-PolarPAK® (L)

חבילת מכשירי ספק

10-PolarPAK® (L)

פיזור כוח (מקסימום)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

250nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

13000pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±12V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1288 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK