קנה Vishay Siliconix SIB455EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIB455EDK-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

מספר חלק

SIB455EDK-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SC-75-6L

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SC-75-6L Single

פיזור כוח (מקסימום)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

12V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 5.6A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

30nC @ 8V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1948 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L