התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SIA850DJ-T1-GE3

SIA850DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
מספר חלק
SIA850DJ-T1-GE3
יצרן/מותג
סִדרָה
LITTLE FOOT®
סטטוס חלק
Obsolete
אריזה
Digi-Reel®
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-70-6 Dual
חבילת מכשירי ספק
PowerPAK® SC-70-6 Dual
פיזור כוח (מקסימום)
1.9W (Ta), 7W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
Schottky Diode (Isolated)
מתח ניקוז למקור (Vdss)
190V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
950mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
4.5nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
90pF @ 100V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
1.8V, 4.5V
Vgs (מקסימום)
±16V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2355 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SIA850DJ-T1-GE3
SIA850DJ-T1-GE3 רכיבים אלקטרוניים
SIA850DJ-T1-GE3 מכירות
ספק SIA850DJ-T1-GE3
SIA850DJ-T1-GE3 מפיץ
SIA850DJ-T1-GE3 טבלת נתונים
SIA850DJ-T1-GE3 תמונות
מחיר SIA850DJ-T1-GE3
SIA850DJ-T1-GE3 הצעה
SIA850DJ-T1-GE3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SIA850DJ-T1-GE3
SIA850DJ-T1-GE3 רכישה
שבב SIA850DJ-T1-GE3