קנה Vishay Siliconix SIA850DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIA850DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

מספר חלק

SIA850DJ-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

LITTLE FOOT®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SC-70-6 Dual

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SC-70-6 Dual

פיזור כוח (מקסימום)

1.9W (Ta), 7W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

Schottky Diode (Isolated)

מתח ניקוז למקור (Vdss)

190V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

950mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

4.5nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

90pF @ 100V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.8V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±16V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2355 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIA810DJ-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6