קנה Vishay Siliconix SIA537EDJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIA537EDJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L

מספר חלק

SIA537EDJ-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SC-70-6 Dual

כוח - מקסימום

7.8W

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SC-70-6 Dual

סוג FET

N and P-Channel

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

12V, 20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

16nC @ 8V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

455pF @ 6V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3533 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIA511DJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6