התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SIA483DJ-T1-GE3

SIA483DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
מספר חלק
SIA483DJ-T1-GE3
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-70-6
חבילת מכשירי ספק
PowerPAK® SC-70-6 Single
פיזור כוח (מקסימום)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
סוג FET
P-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
45nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1550pF @ 15V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
4.5V, 10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל chen_hx1688@hotmail.com, אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1369 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SIA483DJ-T1-GE3
SIA483DJ-T1-GE3 רכיבים אלקטרוניים
SIA483DJ-T1-GE3 מכירות
ספק SIA483DJ-T1-GE3
SIA483DJ-T1-GE3 מפיץ
SIA483DJ-T1-GE3 טבלת נתונים
SIA483DJ-T1-GE3 תמונות
מחיר SIA483DJ-T1-GE3
SIA483DJ-T1-GE3 הצעה
SIA483DJ-T1-GE3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SIA483DJ-T1-GE3
SIA483DJ-T1-GE3 רכישה
שבב SIA483DJ-T1-GE3