קנה Vishay Siliconix SIA483DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIA483DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

מספר חלק

SIA483DJ-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SC-70-6

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SC-70-6 Single

פיזור כוח (מקסימום)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

45nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1550pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל chen_hx1688@hotmail.com, אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1369 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70