קנה Vishay Siliconix SIA466EDJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIA466EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6

מספר חלק

SIA466EDJ-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SC-70-6

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SC-70-6 Single

פיזור כוח (מקסימום)

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

25A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

20nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

620pF @ 1V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל chen_hx1688@hotmail.com, אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2284 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70