קנה Vishay Siliconix SIA459EDJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A SC70

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIA459EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 9A SC70

מספר חלק

SIA459EDJ-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-50°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SC-70-6

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SC-70-6 Single

פיזור כוח (מקסימום)

2.9W (Ta), 15.6W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

30nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

885pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

2.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±12V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 712 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70