התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SIA459EDJ-T1-GE3

SIA459EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 9A SC70
מספר חלק
SIA459EDJ-T1-GE3
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-50°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-70-6
חבילת מכשירי ספק
PowerPAK® SC-70-6 Single
פיזור כוח (מקסימום)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
סוג FET
P-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
30nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
885pF @ 10V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
2.5V, 4.5V
Vgs (מקסימום)
±12V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 712 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SIA459EDJ-T1-GE3
SIA459EDJ-T1-GE3 רכיבים אלקטרוניים
SIA459EDJ-T1-GE3 מכירות
ספק SIA459EDJ-T1-GE3
SIA459EDJ-T1-GE3 מפיץ
SIA459EDJ-T1-GE3 טבלת נתונים
SIA459EDJ-T1-GE3 תמונות
מחיר SIA459EDJ-T1-GE3
SIA459EDJ-T1-GE3 הצעה
SIA459EDJ-T1-GE3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SIA459EDJ-T1-GE3
SIA459EDJ-T1-GE3 רכישה
שבב SIA459EDJ-T1-GE3