קנה Vishay Siliconix SIA444DJT-T4-GE3 MOSFET N-CH 30V SMD

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIA444DJT-T4-GE3

MOSFET N-CH 30V SMD

מספר חלק

SIA444DJT-T4-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Last Time Buy

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SC-70-6

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SC-70-6 Single

פיזור כוח (מקסימום)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

סוג FET

N-Channel

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

11A (Ta), 12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

15nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

560pF @ 15V

Vgs (מקסימום)

±20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1143 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70