קנה Vishay Siliconix SIA413DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIA413DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

מספר חלק

SIA413DJ-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SC-70-6

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SC-70-6 Single

פיזור כוח (מקסימום)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

12V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29 mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

57nC @ 8V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1800pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±8V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1835 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70