התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SI8824EDB-T2-E1

SI8824EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
מספר חלק
SI8824EDB-T2-E1
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
4-XFBGA
חבילת מכשירי ספק
4-Microfoot
פיזור כוח (מקסימום)
500mW (Ta)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
6nC @ 4.5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
400pF @ 10V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
1.2V, 4.5V
Vgs (מקסימום)
±5V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2492 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SI8824EDB-T2-E1
SI8824EDB-T2-E1 רכיבים אלקטרוניים
SI8824EDB-T2-E1 מכירות
ספק SI8824EDB-T2-E1
SI8824EDB-T2-E1 מפיץ
SI8824EDB-T2-E1 טבלת נתונים
SI8824EDB-T2-E1 תמונות
מחיר SI8824EDB-T2-E1
SI8824EDB-T2-E1 הצעה
SI8824EDB-T2-E1 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SI8824EDB-T2-E1
SI8824EDB-T2-E1 רכישה
שבב SI8824EDB-T2-E1