קנה Vishay Siliconix SI8808DB-T2-E1 MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI8808DB-T2-E1

MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

מספר חלק

SI8808DB-T2-E1

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

4-UFBGA

חבילת מכשירי ספק

4-Microfoot

פיזור כוח (מקסימום)

500mW (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

10nC @ 8V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

330pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±8V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2975 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI8800EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT