התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SI8808DB-T2-E1

SI8808DB-T2-E1

MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
מספר חלק
SI8808DB-T2-E1
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
4-UFBGA
חבילת מכשירי ספק
4-Microfoot
פיזור כוח (מקסימום)
500mW (Ta)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
10nC @ 8V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
330pF @ 15V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
1.5V, 4.5V
Vgs (מקסימום)
±8V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2975 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SI8808DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1 רכיבים אלקטרוניים
SI8808DB-T2-E1 מכירות
ספק SI8808DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1 מפיץ
SI8808DB-T2-E1 טבלת נתונים
SI8808DB-T2-E1 תמונות
מחיר SI8808DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1 הצעה
SI8808DB-T2-E1 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SI8808DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1 רכישה
שבב SI8808DB-T2-E1