קנה Vishay Siliconix SI8806DB-T2-E1 MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI8806DB-T2-E1

MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

מספר חלק

SI8806DB-T2-E1

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

4-XFBGA

חבילת מכשירי ספק

4-Microfoot

פיזור כוח (מקסימום)

500mW (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

12V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

17nC @ 8V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.8V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±8V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1677 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI8800EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT