קנה Vishay Siliconix SI8472DB-T2-E1 MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SI8472DB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

מספר חלק

SI8472DB-T2-E1

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

4-UFBGA

חבילת מכשירי ספק

4-Micro Foot (1x1)

פיזור כוח (מקסימום)

780mW (Ta), 1.8W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

18nC @ 8V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

630pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±8V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2860 PCS

פרטי התקשרות