התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SI8451DB-T2-E1

SI8451DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
מספר חלק
SI8451DB-T2-E1
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Obsolete
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-MICRO FOOT™
חבילת מכשירי ספק
6-Micro Foot™ (1.5x1)
פיזור כוח (מקסימום)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
סוג FET
P-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
24nC @ 8V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
750pF @ 10V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
1.5V, 4.5V
Vgs (מקסימום)
±8V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3394 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SI8451DB-T2-E1
SI8451DB-T2-E1 רכיבים אלקטרוניים
SI8451DB-T2-E1 מכירות
ספק SI8451DB-T2-E1
SI8451DB-T2-E1 מפיץ
SI8451DB-T2-E1 טבלת נתונים
SI8451DB-T2-E1 תמונות
מחיר SI8451DB-T2-E1
SI8451DB-T2-E1 הצעה
SI8451DB-T2-E1 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SI8451DB-T2-E1
SI8451DB-T2-E1 רכישה
שבב SI8451DB-T2-E1