קנה Vishay Siliconix SI7983DP-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI7983DP-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

מספר חלק

SI7983DP-T1-E3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Cut Tape (CT)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8 Dual

כוח - מקסימום

1.4W

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8 Dual

סוג FET

2 P-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

7.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 600µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

74nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3034 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8