קנה Vishay Siliconix SI7792DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SI7792DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

מספר חלק

SI7792DP-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

SkyFET®, TrenchFET® Gen III

סטטוס חלק

Last Time Buy

אריזה

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8

פיזור כוח (מקסימום)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

Schottky Diode (Body)

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

40.6A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

135nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

4.735nF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3789 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8