קנה Vishay Siliconix SI7621DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI7621DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

מספר חלק

SI7621DN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8

פיזור כוח (מקסימום)

3.1W (Ta), 12.5W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

6.2nC @ 5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

300pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

2.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±12V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1313 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI7601DN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8