קנה Vishay Siliconix SI7489DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI7489DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

מספר חלק

SI7489DP-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8

פיזור כוח (מקסימום)

5.2W (Ta), 83W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

28A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

160nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

4600pF @ 50V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 763 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI7402DN-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8