קנה Vishay Siliconix SI7434DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI7434DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

מספר חלק

SI7434DP-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8

פיזור כוח (מקסימום)

1.9W (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

250V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

2.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

50nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

6V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 686 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI7402DN-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8