קנה Vishay Siliconix SI7405BDN-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI7405BDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8

מספר חלק

SI7405BDN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Last Time Buy

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8

פיזור כוח (מקסימום)

3.6W (Ta), 33W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

12V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 13.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

115nC @ 8V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3500pF @ 6V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.8V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±8V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1576 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI7402DN-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8