קנה Vishay Siliconix SI7115DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI7115DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

מספר חלק

SI7115DN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-50°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8

פיזור כוח (מקסימום)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

150V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

8.9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

295 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

42nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1190pF @ 50V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

6V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1344 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI7100DN-T1-E3

MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8