התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SI6562DQ-T1-GE3

SI6562DQ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
מספר חלק
SI6562DQ-T1-GE3
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Obsolete
אריזה
Cut Tape (CT)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
כוח - מקסימום
1W
חבילת מכשירי ספק
8-TSSOP
סוג FET
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
מתח ניקוז למקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
25nC @ 4.5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
-
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל chen_hx1688@hotmail.com, אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1123 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SI6562DQ-T1-GE3
SI6562DQ-T1-GE3 רכיבים אלקטרוניים
SI6562DQ-T1-GE3 מכירות
ספק SI6562DQ-T1-GE3
SI6562DQ-T1-GE3 מפיץ
SI6562DQ-T1-GE3 טבלת נתונים
SI6562DQ-T1-GE3 תמונות
מחיר SI6562DQ-T1-GE3
SI6562DQ-T1-GE3 הצעה
SI6562DQ-T1-GE3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SI6562DQ-T1-GE3
SI6562DQ-T1-GE3 רכישה
שבב SI6562DQ-T1-GE3