קנה Vishay Siliconix SI5476DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SI5476DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET

מספר חלק

SI5476DU-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

חבילת מכשירי ספק

8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)

פיזור כוח (מקסימום)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

32nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1100pF @ 30V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1280 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8