התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SI5459DU-T1-GE3

SI5459DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 8A CHIPFET
מספר חלק
SI5459DU-T1-GE3
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-50°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® ChipFET™ Single
חבילת מכשירי ספק
PowerPAK® ChipFet Single
פיזור כוח (מקסימום)
3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
סוג FET
P-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
26nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
665pF @ 10V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
2.5V, 4.5V
Vgs (מקסימום)
±12V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2242 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SI5459DU-T1-GE3
SI5459DU-T1-GE3 רכיבים אלקטרוניים
SI5459DU-T1-GE3 מכירות
ספק SI5459DU-T1-GE3
SI5459DU-T1-GE3 מפיץ
SI5459DU-T1-GE3 טבלת נתונים
SI5459DU-T1-GE3 תמונות
מחיר SI5459DU-T1-GE3
SI5459DU-T1-GE3 הצעה
SI5459DU-T1-GE3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SI5459DU-T1-GE3
SI5459DU-T1-GE3 רכישה
שבב SI5459DU-T1-GE3