קנה Vishay Siliconix SI5433BDC-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI5433BDC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

מספר חלק

SI5433BDC-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SMD, Flat Lead

חבילת מכשירי ספק

1206-8 ChipFET™

פיזור כוח (מקסימום)

1.3W (Ta)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

4.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37 mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

22nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.8V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±8V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1034 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8