קנה Vishay Siliconix SI4972DY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SI4972DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

מספר חלק

SI4972DY-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

כוח - מקסימום

3.1W, 2.5W

חבילת מכשירי ספק

8-SO

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

10.8A, 7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

28nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1080pF @ 15V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1893 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC