קנה Vishay Siliconix SI4940DY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SI4940DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

מספר חלק

SI4940DY-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

כוח - מקסימום

1.1W

חבילת מכשירי ספק

8-SO

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

14nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3171 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC