קנה Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI4914BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

מספר חלק

SI4914BDY-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

LITTLE FOOT®

סטטוס חלק

Discontinued at Digi-Key

אריזה

Cut Tape (CT)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

כוח - מקסימום

2.7W, 3.1W

חבילת מכשירי ספק

8-SO

סוג FET

2 N-Channel (Half Bridge)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

8.4A, 8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1379 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC