קנה Vishay Siliconix SI4910DY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI4910DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

מספר חלק

SI4910DY-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Digi-Reel®

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

כוח - מקסימום

3.1W

חבילת מכשירי ספק

8-SO

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

7.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

32nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

855pF @ 20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 804 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC