קנה Vishay Siliconix SI4906DY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI4906DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

מספר חלק

SI4906DY-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Cut Tape (CT)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

כוח - מקסימום

3.1W

חבילת מכשירי ספק

8-SO

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

6.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

22nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

625pF @ 20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3168 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC