קנה Vishay Siliconix SI4816BDY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI4816BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

מספר חלק

SI4816BDY-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

LITTLE FOOT®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

כוח - מקסימום

1W, 1.25W

חבילת מכשירי ספק

8-SO

סוג FET

2 N-Channel (Half Bridge)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

5.8A, 8.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.5 mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

10nC @ 5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1433 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC