קנה Vishay Siliconix SI4686DY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SI4686DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC

מספר חלק

SI4686DY-T1-E3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

חבילת מכשירי ספק

8-SO

פיזור כוח (מקסימום)

3W (Ta), 5.2W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

18.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

26nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1220pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2587 PCS

פרטי התקשרות