קנה Vishay Siliconix SI4561DY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI4561DY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

מספר חלק

SI4561DY-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Digi-Reel®

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

כוח - מקסימום

3W, 3.3W

חבילת מכשירי ספק

8-SO

סוג FET

N and P-Channel

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

6.8A, 7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35.5 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

20nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

640pF @ 20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2186 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI4500BDY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC