קנה Vishay Siliconix SI4470EY-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SI4470EY-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

מספר חלק

SI4470EY-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

חבילת מכשירי ספק

8-SO

פיזור כוח (מקסימום)

1.85W (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

70nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

6V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2267 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI4401BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC