התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
מספר חלק
SI4446DY-T1-GE3
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Obsolete
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירי ספק
8-SO
פיזור כוח (מקסימום)
1.1W (Ta)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
40V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
12nC @ 4.5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
700pF @ 20V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
4.5V, 10V
Vgs (מקסימום)
±12V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3493 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SI4446DY-T1-GE3
SI4446DY-T1-GE3 רכיבים אלקטרוניים
SI4446DY-T1-GE3 מכירות
ספק SI4446DY-T1-GE3
SI4446DY-T1-GE3 מפיץ
SI4446DY-T1-GE3 טבלת נתונים
SI4446DY-T1-GE3 תמונות
מחיר SI4446DY-T1-GE3
SI4446DY-T1-GE3 הצעה
SI4446DY-T1-GE3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SI4446DY-T1-GE3
SI4446DY-T1-GE3 רכישה
שבב SI4446DY-T1-GE3