התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
מספר חלק
SI4442DY-T1-E3
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירי ספק
8-SO
פיזור כוח (מקסימום)
1.6W (Ta)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
50nC @ 4.5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
-
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
2.5V, 10V
Vgs (מקסימום)
±12V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3762 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SI4442DY-T1-E3
SI4442DY-T1-E3 רכיבים אלקטרוניים
SI4442DY-T1-E3 מכירות
ספק SI4442DY-T1-E3
SI4442DY-T1-E3 מפיץ
SI4442DY-T1-E3 טבלת נתונים
SI4442DY-T1-E3 תמונות
מחיר SI4442DY-T1-E3
SI4442DY-T1-E3 הצעה
SI4442DY-T1-E3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SI4442DY-T1-E3
SI4442DY-T1-E3 רכישה
שבב SI4442DY-T1-E3