קנה Vishay Siliconix SI4442DY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SI4442DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

מספר חלק

SI4442DY-T1-E3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

חבילת מכשירי ספק

8-SO

פיזור כוח (מקסימום)

1.6W (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

15A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

50nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

2.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±12V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3762 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI4401BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC