התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SI3495DV-T1-E3

SI3495DV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
מספר חלק
SI3495DV-T1-E3
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Obsolete
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
חבילת מכשירי ספק
6-TSOP
פיזור כוח (מקסימום)
1.1W (Ta)
סוג FET
P-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
750mV @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
38nC @ 4.5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
-
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
1.5V, 4.5V
Vgs (מקסימום)
±5V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 601 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SI3495DV-T1-E3
SI3495DV-T1-E3 רכיבים אלקטרוניים
SI3495DV-T1-E3 מכירות
ספק SI3495DV-T1-E3
SI3495DV-T1-E3 מפיץ
SI3495DV-T1-E3 טבלת נתונים
SI3495DV-T1-E3 תמונות
מחיר SI3495DV-T1-E3
SI3495DV-T1-E3 הצעה
SI3495DV-T1-E3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SI3495DV-T1-E3
SI3495DV-T1-E3 רכישה
שבב SI3495DV-T1-E3