קנה Vishay Siliconix SI3483DV-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI3483DV-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP

מספר חלק

SI3483DV-T1-E3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

חבילת מכשירי ספק

6-TSOP

פיזור כוח (מקסימום)

1.14W (Ta)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

4.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

35nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 922 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN