קנה Vishay Siliconix SI3417DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI3417DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6

מספר חלק

SI3417DV-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

חבילת מכשירי ספק

6-TSOP

פיזור כוח (מקסימום)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25.2 mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

50nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1350pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2634 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN