קנה Vishay Siliconix SI2399DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SI2399DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

מספר חלק

SI2399DS-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

חבילת מכשירי ספק

SOT-23-3 (TO-236)

פיזור כוח (מקסימום)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

20nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

835pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

2.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±12V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3225 PCS

פרטי התקשרות