קנה Vishay Siliconix SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI2333DDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

מספר חלק

SI2333DDS-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

חבילת מכשירי ספק

SOT-23-3 (TO-236)

פיזור כוח (מקסימום)

1.2W (Ta), 1.7W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

12V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

35nC @ 8V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1275pF @ 6V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±8V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2328 PCS

פרטי התקשרות