התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
מספר חלק
SI2315BDS-T1-GE3
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Digi-Reel®
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
חבילת מכשירי ספק
-
פיזור כוח (מקסימום)
750mW (Ta)
סוג FET
P-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
12V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
15nC @ 4.5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
715pF @ 6V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
4.5V
Vgs (מקסימום)
±8V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2351 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SI2315BDS-T1-GE3
SI2315BDS-T1-GE3 רכיבים אלקטרוניים
SI2315BDS-T1-GE3 מכירות
ספק SI2315BDS-T1-GE3
SI2315BDS-T1-GE3 מפיץ
SI2315BDS-T1-GE3 טבלת נתונים
SI2315BDS-T1-GE3 תמונות
מחיר SI2315BDS-T1-GE3
SI2315BDS-T1-GE3 הצעה
SI2315BDS-T1-GE3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SI2315BDS-T1-GE3
SI2315BDS-T1-GE3 רכישה
שבב SI2315BDS-T1-GE3