קנה Vishay Siliconix SI2315BDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI2315BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

מספר חלק

SI2315BDS-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

חבילת מכשירי ספק

פיזור כוח (מקסימום)

750mW (Ta)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

12V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.85A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

15nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

715pF @ 6V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V

Vgs (מקסימום)

±8V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2351 PCS

פרטי התקשרות