קנה Vishay Siliconix SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI2308BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

מספר חלק

SI2308BDS-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

חבילת מכשירי ספק

SOT-23-3 (TO-236)

פיזור כוח (מקסימום)

1.09W (Ta), 1.66W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

2.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

156 mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

6.8nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

190pF @ 30V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3964 PCS

פרטי התקשרות