התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SI1427EDH-T1-GE3

SI1427EDH-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
מספר חלק
SI1427EDH-T1-GE3
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchFET®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירי ספק
SC-70-6 (SOT-363)
פיזור כוח (מקסימום)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
סוג FET
P-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
64 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
21nC @ 8V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
-
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
1.5V, 4.5V
Vgs (מקסימום)
±8V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2489 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SI1427EDH-T1-GE3
SI1427EDH-T1-GE3 רכיבים אלקטרוניים
SI1427EDH-T1-GE3 מכירות
ספק SI1427EDH-T1-GE3
SI1427EDH-T1-GE3 מפיץ
SI1427EDH-T1-GE3 טבלת נתונים
SI1427EDH-T1-GE3 תמונות
מחיר SI1427EDH-T1-GE3
SI1427EDH-T1-GE3 הצעה
SI1427EDH-T1-GE3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SI1427EDH-T1-GE3
SI1427EDH-T1-GE3 רכישה
שבב SI1427EDH-T1-GE3