קנה Vishay Siliconix IRFD213 MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

IRFD213

MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP

מספר חלק

IRFD213

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

4-DIP (0.300", 7.62mm)

חבילת מכשירי ספק

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

פיזור כוח (מקסימום)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

250V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

450mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 270mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

8.2nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

140pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

Vgs (מקסימום)

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3609 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

IRFD010

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP