קנה Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TPN2R805PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

מספר חלק

TPN2R805PL,L1Q

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

U-MOSIX-H

סטטוס חלק

Active

אריזה

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

175°C

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

חבילת מכשירי ספק

8-TSON Advance (3.3x3.3)

פיזור כוח (מקסימום)

2.67W (Ta), 104W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

45V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

139A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 300µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

39nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3.2nF @ 22.5V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2792 PCS

פרטי התקשרות