קנה Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R503NC,L1Q MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

TPN2R503NC,L1Q

MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

מספר חלק

TPN2R503NC,L1Q

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

U-MOSVIII

סטטוס חלק

Discontinued at Digi-Key

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

חבילת מכשירי ספק

8-TSON Advance (3.3x3.3)

פיזור כוח (מקסימום)

700mW (Ta), 35W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

40A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 500µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

40nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2230pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2560 PCS

פרטי התקשרות