קנה Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R304PL,L1Q MOSFET N-CH 40V 80A TSON

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

TPN2R304PL,L1Q

MOSFET N-CH 40V 80A TSON

מספר חלק

TPN2R304PL,L1Q

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

U-MOSIX-H

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

175°C

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

חבילת מכשירי ספק

8-TSON Advance (3.3x3.3)

פיזור כוח (מקסימום)

630mW (Ta), 104W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 0.3mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

41nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3600pF @ 20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1133 PCS

פרטי התקשרות