קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W,RQ MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK14G65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

מספר חלק

TK14G65W,RQ

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

DTMOSIV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

D2PAK

פיזור כוח (מקסימום)

130W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

13.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 690µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

35nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1300pF @ 300V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2459 PCS

פרטי התקשרות